Instituto tecnológico de tláhuac ii

Instituto Tecnológico Tláhuac III

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Corriendo en el Tecnológico Tláhuac 3

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El procedimiento de inscripción y admisión puede variar, dependiendo de la política de cada institución. Sin embargo, el procedimiento en todas sus versiones sigue los mismos pasos principales; admitir el conjunto de documentos requeridos, completar los chequeos médicos, firmar el contrato con la universidad, el pago de las tasas de matrícula, etc.

Por favor, póngase en contacto con la Oficina de Admisión de la Universidad para obtener información detallada sobre una política de selección de admisión específica y la tasa de aceptación; la información de admisión de la Universidad anterior es sólo indicativa y puede no estar completa o actualizada.

NOTA: Por favor, visite el sitio web oficial para obtener información detallada sobre las áreas de estudio y los niveles de grado que se ofrecen actualmente; las asignaturas que se imparten en esta universidad son sólo indicativas y pueden no estar actualizadas o completas.

Instituto Tecnológico Tláhuac III

Importante: por favor, póngase en contacto o visite el sitio web oficial del Instituto Tecnológico de Tláhuac II para obtener información detallada sobre las áreas de estudio y los niveles de grado que se ofrecen actualmente; la anterior Matriz de Áreas de Estudio/Niveles de Grado™ de uniRank es sólo indicativa y puede no estar actualizada o completa.

Importante: el rango de matrícula de uniRank™ anterior no incluye el alojamiento, la manutención ni otros costes externos; la matrícula puede variar según las áreas de estudio, el nivel de grado, la nacionalidad o residencia del estudiante y otros criterios. Por favor, póngase en contacto con la oficina del Instituto Tecnológico de Tláhuac II correspondiente para obtener información detallada sobre las matrículas anuales que se aplican a su situación e interés de estudio específicos; la Matriz de Rango de Matrícula™ de uniRank anterior es sólo indicativa y puede no estar actualizada o completa.

Importante: la política de admisión y la tasa de aceptación pueden variar según las áreas de estudio, el nivel de la titulación, la nacionalidad o residencia del estudiante y otros criterios. Por favor, póngase en contacto con la Oficina de Admisión del Instituto Tecnológico de Tláhuac II para obtener información detallada sobre una política de selección de admisión específica y la tasa de aceptación; la información de admisión de la Universidad anterior es sólo indicativa y puede no estar completa o actualizada.

Difusión ITT

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Manuel A. Valdés-Madrigal (Instituto Tecnológico Superior de Ciudad Hidalgo, Tecnológico Nacional de México, Av. Ing. Carlos Rojas Gutiérrez 2120, Fracc. Valle de la Herradura, Ciudad Hidalgo 61100, Mexico);

Nitrogen oxides (NO<sub>x</sub>) are among the main atmospheric pollutants; therefore, it is important to monitor and detect their presence in the atmosphere. To this end, low-dimensional carbon structures have been widely used as NO<sub>x</sub> sensors for their outstanding properties. In particular, carbon nanotubes (CNTs) have been widely used as toxic-gas sensors owing to their high specific surface area and excellent mechanical properties. Although pristine CNTs have shown promising performance for NO<sub>x</sub> detection, several strategies have been developed such as surface functionalization and defect engineering to improve the NO<sub>x</sub> sensing of pristine CNT-based sensors. Through these strategies, the sensing properties of modified CNTs toward NO<sub>x</sub> gases have been substantially improved. Therefore, in this review, we have analyzed the defect engineering and surface functionalization strategies used in the last decade to modify the sensitivity and the selectivity of CNTs to NO<sub>x</sub>. First, the different types of surface functionalization and defect engineering were reviewed. Thereafter, we analyzed experimental, theoretical, and coupled experimental–theoretical studies on CNTs modified through surface functionalization and defect engineering to improve the sensitivity and selectivity to NO<sub>x</sub>. Finally, we presented the conclusions and the future directions of modified CNTs as NO<sub>x</sub> sensors.

Teo Santillán

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